近日，中国最大闪存芯片制造商长江存储向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼，要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项3D NAND 技术专利，并赔偿损失和诉讼费用。
长江存储称，美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的 8 项专利，这些专利涉及到3D NAND存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 ( TAC ) 、读取方法和多层堆叠方法等方面。
长江存储还在起诉书中表示，若法院未能就美光侵犯专利下达产品永久禁令，则应制定相关方案，如美光向长江存储支付专利授权费等。长江存储成立于2016年7月，总部位于湖北武汉，主攻设计、制造3D NAND闪存芯片。长江存储采用了自研的 Xtacking(晶栈)架构，其在技术上已经追上国外巨头。
长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)成立于2016年7月26日，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。