根据香港证券交易所6月12日的公告，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(下称“英诺赛科”)已正式递交上市申请，计划在香港主板挂牌上市。此次上市的联席保荐人为中金公司和招银国际。
英诺赛科成立于2015年，是一家专注于第三代半导体硅基氮化镓(GaN)研发与产业化的高新技术企业，注册资本为8.34亿元。公司计划将募集到的资金用于扩大生产能力、研发新产品和扩展市场网络。
具体而言，英诺赛科计划将50%的募资资金用于扩大8英寸氮化镓晶圆的产能，目标是在未来五年内将每月的晶圆生产量从目前的1万片增加到7万片;15%的募资资金将用于研发和扩大氮化镓产品组合;剩余的资金将用于扩展分销网络等其他业务发展。
然而，英诺赛科在准备上市的同时，面临来自竞争对手的多项专利侵权诉讼，这些诉讼可能对其未来的生产和销售带来重大影响。
据悉，2023年，氮化镓公司Efficient Power Conversion(EPC)向美国加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，指控英诺赛科侵犯了其四项专利。这些专利涉及EPC专有的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。EPC要求法院禁止英诺赛科生产和销售相关产品，并寻求经济赔偿。
此外，今年3月，知名半导体公司英飞凌在其官方网站上发布消息称，为保护其与氮化镓技术相关的美国专利不受侵犯，已对英诺赛科提起诉讼。英飞凌正在寻求永久禁令，防止英诺赛科继续侵犯其专利。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓功率半导体器件的核心方面，包括实现英飞凌专有的氮化镓器件可靠性和性能的创新。
如果这些诉讼判决不利，英诺赛科可能面临禁止生产或销售涉案产品的风险，或者被责令支付巨额赔偿。这些风险可能对英诺赛科的上市进程及未来业务发展带来不确定性。